JFET

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JFET (em inglês: junction gate field-effect transistor) ou FET de junção, é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica. Esses materiais podem ser do tipo P (dopado positivamente) ou do tipo N (dopado negativamente) dependendo da dopagem de seu canal, pois eles sempre serão o oposto. Com esses materiais colocados em contato direto com o canal, cria-se uma zona de depleção que é influenciada pelas tensões injetadas no Gate, fazendo com que elas se "abram" ou "fechem" mais, influenciando assim na resistência do canal do JFET.


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