65 nanômetros

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Fabricação
de dispositivos
semicondutores

4-fach-NAND-C10.JPG

65 nanômetros (nm 65) é um processo avançado de litografia em nó, que é usado em volume na fabricação de semicondutores CMOS. O valor do comprimento de um transistor(isso é entre transistor - gate) pode chegar a um valor tão baixo quanto 25 nm em um processo de 65 nm, nominalmente, enquanto o passo entre duas linhas pode ser maior que 130 nm.[2] Para comparação, os ribossomos celulares possuem cerca de 20 nm ponta-a-ponta. Um cristal de silício a granel tem uma estrutura constante de 0,543 nm. Em setembro de 2007 Intel, AMD, IBM, UMC, Chartered e TSMC começaram a produção de chips de 65 nm.

Exemplo:Processador Fujitsu 65nm[editar | editar código-fonte]

  • Comprimento Gate: 30 nm (high-performance) a 50 nm (low-power)
  • Tensão do núcleo: 1.0 V
  • Layout de interconexão 11Cu usando nano-ligações de silica utilizando o dielétrico superbaixo k(k=2.25)
  • Pitch: 180 nm
  • Nickel silicide source/drain
  • Espessura do Gate: 1.9 nm (n), 2.1 nm (p)
  • «link to press release» 
  • «link to presentation» (PDF) 

Processadores que usam a tecnologia de 65nm[editar | editar código-fonte]

Referências

  1. «TG Daily - AMD preps 65 nm Turion X2 processors». Consultado em 4 de março de 2008. Arquivado do original em 13 de setembro de 2007 
  2. [1]


Precedido por:
90 nm
processos de fabricação CMOS Sucedido por:
45 nm