DDR2 SDRAM

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DRAM DDR2 512MB

A DDR2 SDRAM ou DDR2 é uma evolução ao antigo padrão DDR SDRAM, conforme homologação da JEDEC. A nova tecnologia veio com a promessa de aumentar o desempenho, diminuir o consumo elétrico e o aquecimento, aumentar a densidade e minimizar a interferência eletromagnética (ruído). São esperados módulos de até 4GB de memória.

Nome[editar | editar código-fonte]

DDR2 SDRAM é o acrónimo de Double Data Rate 2 Synchronous Dynamic Random Access Memory. Dual In-line Memory Module significa que os módulos fazem contatos pelos seus dois lados, em contraste aos antigos módulos SIMM (Single In-line Memory Module). Syncronous Dynamic Random Acess Memory significa que a memória possui acesso aleatório síncrono e dinâmico. O termo sincronia é utilizado para indicar que a memória e processador possuem clocks coincidentes, o que faz aumentar o desempenho em comparação com a antiga tecnologia EDO em 25%. O termo dinâmica é uma referência à estrutura dos chips, que são formados por uma matriz de capacitores que precisam ser recarregados constamente. Double Data Rate significa que o tráfego é de dois dados por pulso de clock. O número 2 simboliza o conjunto de melhorias do novo padrão...

Como o próprio nome sugere, a memória DDR2 (Double Data Rate 2) é uma evolução da memória DDR. Entre suas principais características estão o consumo menor de energia elétrica e maiores taxas de velocidade. Neste artigo, você conhecerá mais detalhes das memórias DDR2 e verá quais são seus principais diferenciais em relação ao padrão anterior.

Visão Geral[editar | editar código-fonte]

Formato e alimentação dos módulos[editar | editar código-fonte]

Padrão Número de vias Tensão de alimentação Comentários
DDR2 240 1,8V
DDR2 SO-DIMM 200 1,8V padrão para notebooks.
DDR 184 2,5V
SDR 168 3,3V

Nota-se que o novo padrão não é compatível com o antigo DDR, tanto em pinagem, quanto em posição dos chanfros e alimentação elétrica. O tipo de formatacão e alimentação depende dos tipos de configuracõess que o DDR apresenta.

Clocks (frequência)[editar | editar código-fonte]

O clock real dos novos chips é a metade do clock real dos seus módulos. Exemplificando: uma memória DDR2 400 possui clock real 200Mhz, e seus chips possuem clock real de 100Mhz. Porém tanto memórias quanto chips possuem clock efetivo (nominal) de 400Mhz. Veja tabela abaixo:

Nome padrão Clock dos chips Ciclo de tempo Clock real Dados por segundos Nome do módulo Taxa de transferência
DDR2-400 100 MHz 10 ns 200 MHz 400 Milhões PC2-3200 3200 MB/s
DDR2-533 133 MHz 7.5 ns 266 MHz 533 Milhões PC2-4200
PC2-4300
4266 MB/s
DDR2-667 166 MHz 6 ns 333 MHz 667 Milhões PC2-5300
PC2-5400
5333 MB/s
DDR2-800 200 MHz 5 ns 400 MHz 800 Milhões PC2-6400 6400 MB/s
DDR2-1066 266 MHz 3.75 ns 533 MHz 1066 Milhões PC2-8500
PC2-8600
8533 MB/s
DDR2-1300 325 MHz 3.1 ns 650 MHz 1300 Milhões PC2-10400 10400 MB/s
DDR2-1850-evolution 800 MHz 9.1 ns 950 MHz 1300 Milhões PC2-E450 10400 MB/s

Várias confusões se devem à leitura de notícias antigas e especulações anteriores ao seu lançamento, e ao fato de os chips enviarem aos buffers de saída da memória 4 dados à metade do clock real dos módulos. Porém os módulos continuam sendo DDR, o que fica bastante claro quando percebemos que as taxas de trasmissão máxima teórica se mantêm. Uma DDR e uma DDR2 possuem taxa de transmissão máxima e teórica de 3.2Gbps.

Apesar dos benefícios, os ciclos adicionais de clock trazem em contrapartida latências maiores, um problema muito difícil de ser contornado, sendo um dos principais argumentos de especialistas para aguardar a transição rápida para as DDR3. Por conta desta dicotomia entre clock dos chips e dos módulos, hoje é possível construir memórias cada vez mais rápidas, devendo somar a esta vantagem outros fatores, como o ODT.

On-Die-Termination ( ODT - Terminação resistiva )[editar | editar código-fonte]

Ao contrário das DDR's clássicas, nas quais a terminação resistiva se localizava na placa mãe, nas DDR2 o ODT está presente no próprio módulo, diminuindo assim a interferência eletromagnética. Esta é uma das características que permitem um desempenho maior desse modelo.

Bancos de memória[editar | editar código-fonte]

Os novos chips possuem mais subdivisões internas (banks, que não devem ser confundidos com outras definições de banco de memória). Agora são 4 ou 8 bancos, diferente do antigo padrão que possuía apenas 2 ou 4.

A subdivisão de chips é muito importante para a utilização de uma técnica chamada Bank Interleave. Como usamos memórias dinâmicas que precisam ser recarregadas constantemente, durante o processo de recarga a memória não pode ser acessada. Ao utilizarmos esta técnica quando acessamos um banco (uma fração de chips), os outros bancos são recarregados (as outras frações dos chips), minimizando assim a possibilidade de acesso a um banco que esteja em processo de recarga.

Mecanismo de busca[editar | editar código-fonte]

A DDR2 possui um pre-fetch de 4 bits, o dobro da DDR clássica..

Encapsulamento[editar | editar código-fonte]

DDR2 usam o encapsulamento FBGA (Fine pitch Ball Grid Array), derivado do BGA (Ball Grid Array), enquanto as DDR's utilizam, em geral, TSOP (Thin Small-Outline Package).[1] Apesar disso, a DDR2 é apontada como o novo padrão para as futuras memórias RAM, por conservar o custo benefício das antigas memórias DDR. Contudo, as novas memórias XDR da Rambus prometem muita performance.

Referências

  1. Memória DDR2 Visitado em 14 de junho de 2008.

Ver também[editar | editar código-fonte]