Efeito de canal curto
Em eletrônica, efeito de canal curto ocorre em transistores MOSFETs quando o tamanho do canal do transistor tem dimensões comparáveis a região de depleção do terminal Fonte e Dreno. Esse efeito implica particularmente na drain-induced barrier lowering, velocidade de saturação, Confinamento Quantico e hot carrier degradation.[1][2]
Ver também[editar | editar código-fonte]
Referências
- ↑ F. D’Agostino, D. Quercia. «Short-Channel Effects in MOSFETs» (PDF)
- ↑ Principles of Semiconductor Devices. 7.7. Advanced MOSFET issues