Ficheiro:Scheme of n-metal oxide semiconductor field-effect transistor with channel de.svg

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Descrição do ficheiro

Descrição
English: Lateral cut of a metal oxide semiconductor field-effect transistor with the channel. Coloured, with german descriptions
Deutsch: Eingefärbtes Schema eines n-Kanal w:de:MOSFET. Die Anschlüsse sind:
  • S: Source (engl. für „Zufluss“, „Quelle“)
  • G: Gate (engl. für „Tor“, „Gatter“)
  • D: Drain (engl. für „Abfluss“)
  • B: Bulk/Substrat

Mit steigender Spannung zwischen Gate und Bulk bzw. Substrat (hier rot dargestellt) werden dabei zuerst die Majoritätsladungsträger verdrängt und es bildet sich durch Ladungsträger-Verarmung ein nichtleitendes Gebiet. Steigt die Spannung weiter, kommt es zur Inversion, das p-dotierte Substrat wird unterhalb des Gates n-leitend und bildet einen leitenden Kanal zwischen Source und Drain.

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Data
Origem Obra do próprio
Autor Arne Nordmann (norro}
w:pt:Creative Commons
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19h00min de 3 de maio de 2006Miniatura da versão das 19h00min de 3 de maio de 2006625 × 400 (27 kB)NorroSeems like Batik is not able to render arrows yet, so drew them by myself
18h56min de 3 de maio de 2006Miniatura da versão das 18h56min de 3 de maio de 2006625 × 400 (27 kB)Norrorevised
20h09min de 2 de maio de 2006Miniatura da versão das 20h09min de 2 de maio de 2006625 × 525 (30 kB)Norroimproved
21h31min de 1 de maio de 2006Miniatura da versão das 21h31min de 1 de maio de 2006525 × 438 (29 kB)Norroimproved
20h53min de 1 de maio de 2006Miniatura da versão das 20h53min de 1 de maio de 2006525 × 438 (28 kB)Norroadded depletion zone
20h28min de 1 de maio de 2006Miniatura da versão das 20h28min de 1 de maio de 2006563 × 438 (23 kB)NorroScheme of n-MOSFET with channel, german descriptions

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