Região de depleção

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A região de depleção refere-se a região em torno de uma junção P-N de um semicondutor na qual existem poucos portadores de carga (elétrons ou buracos).[1]

Formação[editar | editar código-fonte]

Junção P-N onde, após a difusão das cargas, nota-se uma região onde apenas existem os íons imóveis, sem cargas livres, a região de depleção

Quando uma junção P-N é formada, em função da dopagem do semicondutor, no lado N da junção existe uma alta concentração de elétrons livres (portadores com carga negativa), enquanto no lado P existe uma alta concentração de buracos (ou lacunas, portadores com carga positiva). Manifesta-se então uma corrente de difusão, com os elétrons seguindo para o lado P e os buracos para o lado N. Portanto, o material do tipo N que era inicialmente neutro, começa a ficar com uma deficiência de elétrons e consequentemente com carga positiva. O mesmo raciocínio vale para o lado P da junção, que começa a ficar com carga negativa. A acumulação de íons positivos na zona N e de íons negativos na zona P, cria um campo elétrico (E) que atuará sobre os elétrons livres da zona N e sobre os buracos da zona P com uma determinada força que se oporá à corrente de difusão até que um equilíbrio seja atingido. A região que contém esses átomos ionizados e portanto desprovida de cargas livres é chamada de região de depleção.[1]

Ver também[editar | editar código-fonte]

Referências

  1. a b Pierce J. F. (1972). «Capítulo 1: O diodo de junção P-N». Dispositivos de junção semicondutores. São Paulo: Edgard Blücher