Discussão:Diodo Schottky

		Este artigo foi avaliado automaticamente com qualidade 1 e faz parte do âmbito de um WikiProjeto: Eletrônica.
		Para o WikiProjeto:Eletrônica este artigo possui importância ainda não avaliada. Se você se interessa pelo assunto, visite o projeto para conhecer as tarefas e discussões em curso.
Se não tiver suas questões respondidas nesta página de discussão procure o(s) wikiprojeto(s) acima.

DIODO SCHOTTKY Também é chamado de diodo HCT (Hot carrier Diode.). Teve seu efeito explicado por SCHOTTKY em 1939, porém foi descoberto por BRAUN em 1874. Baseia-se na união de um metal e um semicondutor. Devido as pequenas, dimensões em que pode ser construído, é muito utilizado na fabricação de circuitos integrados. São usados na fabricação do diodo SCHOTTKY, o silício ou arsenieto de gálio com forte dopagem como cátodos e ouro, prata ou alumínio como ânodos. O funcionamento do dispositivo baseia-se no fato de que os níveis de energia são diferentes entre o semicondutor e o metal.

Quando em polarização direta, essa diferença provoca, o aparecimento de uma corrente no sentido do semicondutor para o metal. Em polarização reversa o aumento da barreira de potencial impede a condução de corrente. Devido aos elétrons, únicos portadores de carga, é chamado de HCD. Devido a ausência de portadores minoritários, a resposta do SCHOTTKY é muito rápida podendo trabalhar em freqüências da ordem de 70GHz. A tensão de início de condução depende dos materiais escolhidos na fabricação do diodo, podendo variar de 0,25 a 0,75volts. A figura a seguir, mostra a estrutura e o símbolo do diodo SCHOTTKY.