Ficheiro:MOVPEofEPINW.jpg

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MOVPEofEPINW.jpg(656 × 261 píxeis, tamanho: 60 kB, tipo MIME: image/jpeg)

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Descrição do ficheiro

  • Figure Caption: Low pressure metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) can be used to grow III-V nanowires epitaxially on suitable crystalline substrates, sucha s III-V materials or silicon with a reasonably matching lattice constant.

Nanowire growth is catalyzed by various nanoparticles, which are deposited on the substrate surface, typically gold nanoparticles with a diameter of 20-100nm.

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atual00h41min de 20 de novembro de 2006Miniatura da versão das 00h41min de 20 de novembro de 2006656 × 261 (60 kB)KristianMolhave
00h24min de 20 de novembro de 2006Miniatura da versão das 00h24min de 20 de novembro de 2006272 × 856 (62 kB)KristianMolhave*Figure Caption: Low pressure metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) can be used to grow III-V nanowires epitaxially on suitable crystalline substrates, sucha s III-V materials or silicon with a reasonably matching lattice constant. Nanowire growth is

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