Deposição induzida por feixe de elétrons

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Deposição induzida por feixe de elétrons (citado na literatura como EBID, do inglês electron beam-induced deposition) é um processo de decomposição de moléculas gasosas por um feixe de elétrons conduzindo à deposição de fragmentos não voláteis em um substrato próximo. O feixe de elétrons é geralmente fornecido por um microscópio eletrônico de varredura que resulta em exatidão espacial elevada (abaixo de um nanômetro) e possibilidade de produzir estruturas tridimensionais independentes.

Processo[editar | editar código-fonte]

Feixe de elétrons focalizado de um microscópio eletrônico de varredura (MEV) ou microscópio eletrônico de varredura por transmissão (MEVT) é comumente usado. Feixe de íon focalizado pode ser aplicado alternativamente, mas então o processo é chamado deposição induzida por feixe de íons (citado na literatura como IBID), do inglês ion beam-induced deposition). O material precursor é um gás, líquido ou um sólido. Sólidos ou líquidos são gaseificados antes da deposição, geralmente através de vaporização ou sublimação, e introduzidos, a uma taxa controlada com precisão, na câmara de vácuo do microscópio eletrônico. Alternativamente, precursor sólido é sublimado pelo próprio feixe de elétrons.

Quando a deposição ocorre a uma temperatura elevada ou envolve gases corrosivos, uma câmara de deposição especialmente projetada é usada;[1] isolada do microscópio, e o feixe é introduzido nela através de um orifício de tamanho micrométrico. O orifício de pequeno tamanho mantém a pressão diferencial no microscópio (vácuo) e da câmara de deposição (sem vácuo). Tal modo de deposição tem sido utilizada para EBID de diamante.[1] [2]


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Referências[editar | editar código-fonte]

  1. a b Kiyohara, Shuji. (2002). "Microfabrication of diamond films by localized electron beam chemical vapour deposition". Semiconductor Science and Technology 17: 1096. DOI:10.1088/0268-1242/17/10/311.
  2. "Electron beam activated plasma chemical vapour deposition of polycrystalline diamond films" Phys. Stat. Solidi (a) 151 (1995) 107