90 nanómetros

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O processo de fabrico de 90 nanómetros (90 nm) em CMOS corresponde a um nó tecnológico alcançado entre os anos de 2002 e 2003 pelas principais companhias de fabricação de semicondutores, tais como a Intel Corporation, a AMD, a Infineon, a Texas Instruments, a IBM e a TSMC.

A origem do valor 90 nm é histórica, refletindo uma redução da dimensão dos transístores em cerca de 30% a cada 3 anos.

Comparação entre as tecnologias de 90 e 130 nm[editar | editar código-fonte]

A tecnologia de 90 nm resulta essencialmente de uma redução de escala do seu antecessor, os 130 nm, apresentado as seguintes vantagens:

  • Redução do tamanho dos transístores permite uma maior integração por unidade de área (cerca de 2.5 vezes mais), isto é, para uma dada capacidade, o tamanho do chip é menor nos 90 nm;
  • Por sua vez, um transístor mais pequeno consegue comutar mais rapidamente entre os estados de ligado/desligado, o que se traduz num aumento da frequência de relógio do dispositivo.

No entanto, à redução das dimensões associa-se um aumento da corrente de fugas. Para mitigar este problema, algumas companhias utilizaram uma técnica que consiste na deposição de uma fina camada de óxido (material isolante) sobre a wafer de silício, confinando assim os electrões dentro da estrutura do chip.

Evolução no processo de fabrico durante a tecnologia de 90 nm[editar | editar código-fonte]

  • O comprimento de onda de 193 nm foi introduzido na litografia de camadas críticas pela maioria das companhias durante o nó tecnológico dos 90 nm. O uso dos novos fotoresistes veio, contudo, a provocar um menor rendimento do processo de fabrico, acarretando custos adicionais durante a transição.
  • Foi também durante o nó tecnológico dos 90 nm que se assistiu à proliferação das wafers de 300 mm de diâmetro, vindo substituir as de 200 mm utilizadas até então.

Actualmente, nos dispositivos mais avançados, a tecnologia dos 45 nm substitui em grande parte os nós tecnológicos anteriores (65 e 90 nm). Existem, no entanto, alguns produtos (particularmente chipsets), em que a transição dos 130 para os 90 nm se deu recentemente.

Processadores que usam a tecnologia de 90 nm[editar | editar código-fonte]

  • Intel Pentium 4 Prescott - 2004-02-01
  • Intel Celeron D Prescott-256 - 2004-05-24
  • Intel Pentium M Dothan - 2004-05-10
  • Intel Celeron M Dothan-1024 - 2004-08-31
  • Intel Xeon Nocona, Irwindale, Cranford, Potomac, Paxville - 2004-06-28
  • Intel Pentium D Smithfield - 2005-05-26
  • AMD Athlon 64 Winchester, Venice, San Diego, Orleans - 2004-10-14
  • AMD Athlon 64 X2 Manchester, Toledo, Windsor - 2005-05-31
  • AMD Sempron Palermo and Manila - 2004-08
  • AMD Turion 64 Lancaster and Richmond - 2005-03-10
  • AMD Turion 64 X2 Taylor and Trinidad - 2006-05-17
  • AMD Opteron Venus, Troy, and Athens - 2005-08-02
  • AMD Dual-core Opteron Denmark, Italy, Egypt, Santa Ana, and Santa Rosa
  • VIA C7 - 2005-05
  • Loongson (Godson) STLS2E02 - 2007-04-26
  • Loongson (Godson) 2F STLS2F02 - 2008-07-28

Ver também[editar | editar código-fonte]

Ligações externas[editar | editar código-fonte]


Precedido por:
130nm
Processo de fabrico CMOS Sucedido por:
65nm