Antimoneto de índio

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Antimoneto de índio
Alerta sobre risco à saúde
Sphalerite-unit-cell-3D-balls.png
Indium antimonide.jpg
Nome IUPAC Antimoneto de índio
Identificadores
Número CAS 1312-41-0
PubChem 3468413
ChemSpider 2709929
Número RTECS NL1105000
SMILES
Propriedades
Fórmula molecular InSb
Massa molar 236,58 g/mol
Aparência Cristais metálicos, cinza escuro
Densidade 5,775 g·cm-3
Ponto de fusão

527 °C,

Gap de energia 0.17 eV
Mobilidade 7.7 mC s g-1 (27 °C)
Condutividade térmica 180 mW K-1 cm-1 (27 °C)
Índice de refracção (nD) 4.0
Estrutura
Estrutura cristalina Zincblende
Grupo de espaço T2d-F-43m
Geometria de
coordenação
Tetraedral
Riscos associados
Classificação UE Danoso (Xn), Danoso ao meio ambiente (N)
Frases R R20/22, R51/53
Frases S S61
Exceto onde denotado, os dados referem-se a
materiais sob condições normais de temperatura e pressão

Referências e avisos gerais sobre esta caixa.
Alerta sobre risco à saúde.

Antimoneto de índio (InSb) é um composto cristalino de índio (In) e antimônio (Sb). É um material semicondutor de pequeno GAP do grupo III-V empregado em detectores infravermelhos, como os utilizados em câmeras termográficas e na astronomia infravermelha, com sensibilidade entre 1–5 µm de comprimento de onda. Cristais de InSb têm sido crescidos por resfriamento lento do material liquefeito há quase sessenta anos.[1]

Propriedades físicas[editar | editar código-fonte]

InSb tem a aparência de pedaços ou particulados de metal cinza-escuro prateados com um brilho vitroso. Quando submetidos a temperaturas acima de 500 °C, ele derrete e se decompõe, liberando vapores de antimônio e óxido de antimônio.

InSb é um semicondutor de GAP pequeno com valores de 0.17 eV a 300 K e 0.23 eV a 80 K. A estrutura cristalina é tipo blenda de zinco com um parâmetro de rede de 0.648 nm.[2]

Detectores de fotodiodo de antimoneto de índio são de natureza fotovoltaica, gerando corrente elétrica quando submetidos a radiação infravermelha. Esses detectores necessitam de calibração periódica, o que resulta em maior complexidade nos sistemas de imagem em que são utilizados. Essa complexidade adicional é compensada quando uma maior sensibilidade é necessária, como em sistemas de imagens térmicas de longa distância. O resfriamento desses sistemas também é necessário pois eles necessitam de temperaturas criogênicas para operarem adequadamente (tipicamente 80 K).[3]

Aplicações[editar | editar código-fonte]

Referências[editar | editar código-fonte]

  1. Avery, D G. (1954). "Optical and Photo-Electrical Properties of Indium Antimonide". Proceedings of the Physical Society Section B 67 (10): 761. DOI:10.1088/0370-1301/67/10/304.
  2. Properties of Indium Antimonide (InSb)
  3. M. G. Beckett "High Resolution Infrared Imaging", PhD thesis, Cambridge University (1995) Chapter 3: Camera