Transistor de junção bipolar

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O transístor (ou transistor) de junção bipolar, TJB, (bipolar junction transistor, BJT, em inglês), é o tipo de transístor mais comum, devido sua facilidade de polarização e durabilidade. Recebe este nome porque o processo de condução é realizado por dois tipos de carga - positiva (lacunas) e negativa (electrões).

O transístor de junção bipolar foi o primeiro tipo de transistor a ser produzido, e que valeu o Prémio Nobel, aos seus inventores.

Até hoje, permanece como o único prémio Nobel a ser atribuído a um dispositivo de engenharia.
Os primeiros transístores foram produzidos com Germânio e passado algum tempo começou a ser utilizado o Silício.

O objetivo dos inventores foi substituir as válvulas termoiónicas, que consumiam muita energia, tinham muito baixo rendimento e funcionavam com tensões da ordem das centenas de volts.

Os TJBs são considerados quadripolos (sendo um dos seus terminais comum aos circuito de entrada e de saída) e dadas as suas características de amplificação, o modelo que melhor representa o seu funcionamento utiliza os denominados parâmetros h, também designados parâmetros híbridos.

Os transístores de efeito de campo (TEC) ou Field Effect Transistor (FET) em inglês, utilizam os parâmetros g, também designados parâmetros de transcondutância.

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