Fabricação de dispositivos semicondutores

Origem: Wikipédia, a enciclopédia livre.
Saltar para a navegação Saltar para a pesquisa
Fabricação
de dispositivos
semicondutores

4-fach-NAND-C10.JPG

Fabricação de dispositivos semicondutores é o processo utilizado para criar os circuitos integrados que estão presentes em todos os dispositivos eletrônicos. É uma sequência de passos múltiplos com litografia e utilização de produtos químicos durante a qual os circuitos eletrônicos são criados gradualmente em uma wafer feita de material semicondutor. Silício é quase sempre utilizado, mas vários compostos semicondutores são utilizados para aplicações especializadas.[1]

Lista de semicondutores[editar | editar código-fonte]

Progresso de miniaturização, e comparação dos tamanhos de semicondutores com alguns objetos microscópicos e comprimentos de onda de luz visíveis.
  • A fabricação de dispositivos semicondutores de 7 nanômetros (7 nm) é a tecnologia seguida a de 10 nm.[2] Em 2002, a IBM produz transistor em 6nm.[3] Em 2003, a NEC produz transistor em 5 nm.[4] Em 2012, a IBM produz transistor menores que 10 nm com nanotubos de carbono.[5] Em abril de 2015 a TSMC anuncia que vai produzir transistor de 7 nm em 2017.[6] Em julho do mesmo ano a IBM anuncia chips de 7 nanômetros funcionais, usando silício-germânio.[7] Em maio de 2019 a AMD anuncia a nova linha de processadores Ryzen 3000 com o processo em 7nm.[7]
  • A fabricação de semicondutores de 10 nanômetros (10 nm) é a tecnologia seguida a de 14 nm. A nomeação original deste nó "11 nm" vem da International Technology Roadmap para Semiconductors.[8] Embora o roteiro tenha sido baseado na expansão continuada das CMOS, este roteiro não garante que as CMOS baseada em silício vão conseguir ir tão longe. Isto por que o comprimento da porta dielétrica para esse nó pode ser menor do que 6 nm de espessura isto exige uma monocamada ainda menor. Estimativas indicam que os transistores nestas dimensões são significativamente afetados por tunelamento quântico. Como resultado, a evolução não-silício da CMOS, utilizando materiais ultra-low-k ou nanotubos /nanofios , bem como plataformas não-CMOS, incluindo a eletrônica molecular e dispositivos de elétrons únicos , foram propostos. Assim, este nó marca o início prático da nanoeletrônica.
  • A fabricação de semicondutores de 14 nanômetros (14 nm) é a tecnologia seguida a de 22 nm / (20 nm). A nomeação desta tecnologia como "14 nm" veio da International Technology Roadmap para Semiconductors. A tecnologia de 14 nm foi alcançada em dispositivos por empresas de semicondutores em 2014.[9] A resolução de 14 nm é difícil de conseguir em um polímero, mesmo com a litografia por feixe de elétrons. Além disso, os efeitos químicos da radiação ionizante também limitar resoluções fiáveis a cerca de 30 nm, o que é também possível utilizando a tecnologia de litografia de imersão.
  • A fabricação de semicondutores de 22 nanômetros (22 nm) é a tecnologia seguida a de 32 nm. A tecnologia de 22 nm foi alcançada em dispositivos por empresas de semicondutores em 2012.[10]
  • A fabricação de semicondutores de 32 nanômetros (32 nm) é a tecnologia seguida a de 45 nm. A tecnologia de 32 nm foi alcançada em dispositivos por empresas de semicondutores em 2010.[11] Intel e AMD começaram a comercializar juntas microchips produzidos utilizando o processo de 32 nanômetros em 2010. IBM também desenvolveu dispositivos de 32 nm com high-k metal gate.
  • A fabricação de semicondutores de 45 nanômetros (45 nm) é a tecnologia seguida a de 65 nm. A tecnologia de 45 nm foi alcançada em dispositivos por empresas de semicondutores em 2007.[12]

Referências

  1. IEEE. Disponível em <http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6570490>. Acesso em 24 de maio de 2015. (em inglês)
  2. 7 nm. Disponível em <http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1323865>. Acesso em 09 de julho de 2015. (em inglês)
  3. IBM menor transistor de silício do mundoAcesso em 09 de julho de 2015.(em inglês)
  4. NEC menor transistor do mundo..Acesso em 09 de julho de 2015.(em inglês)
  5. «IBM: transistor com nanotubos de carbono» Acesso em 09 de julho de 2015.(em inglês)
  6. TSMC 10 nm em 2016 e 7 nm em 2017Acesso em 09 de julho de 2015.(em inglês)
  7. [1]Acesso em 09 de julho de 2015.
  8. 10 nm. Disponível em <http://www.extremetech.com/tag/10nm>. Acesso em 09 de julho de 2015. (em inglês)
  9. Intel 14 nm. Disponível em <http://www.intel.com/content/www/us/en/silicon-innovations/intel-14nm-technology.html>. Acesso em 24 de maio de 2015. (em inglês)
  10. Intel 22 nm Disponível em <http://www.intel.com/content/www/us/en/silicon-innovations/intel-22nm-technology.html>. Acesso em 24 de maio de 2015. (em inglês)
  11. Intel 32 nm Disponível em <http://www.intel.com.br/content/www/br/pt/performance/performance-intro-to-intels-32nm-process-technology-paper.html>. Acesso em 24 de maio de 2015. (em inglês)
  12. Intel 45 nm Disponível em <http://www.intel.com/cd/channel/reseller/asmo-lar/por/sales/401363.htm>. Acesso em 24 de maio de 2015.

Ligações externas[editar | editar código-fonte]