Write once read many

Origem: Wikipédia, a enciclopédia livre.

Write once read many (WORM) (em português: escrita uma vez e leitura várias)[1] descreve um dispositivo de armazenamento de dados no qual as informações, uma vez gravadas, não podem ser modificadas. Essa proteção contra gravação oferece a garantia de que os dados não podem ser adulterados depois de gravados no dispositivo.

Em dispositivos de armazenamento de dados comuns (não WORM), o número de vezes que os dados podem ser modificados é limitado apenas pela vida útil do dispositivo, pois a modificação envolve alterações físicas que podem causar desgaste no dispositivo. O aspecto "ler muitos" não é digno de nota, pois os dispositivos de armazenamento modernos permitem a leitura ilimitada de dados uma vez gravados.[a]

O WORM protege os arquivos importantes, mantendo-os seguros e intactos. Ele garante o mais alto nível de integridade e segurança de dados, eliminando o risco de dados importantes serem excluídos ou modificados. Desta forma, o WORM ajuda a preservar a autenticidade e segurança dos dados registrados.

Unidades WORM atuais[editar | editar código-fonte]

Os discos ópticos CD-R, DVD-R e BD-R para computadores eram dispositivos WORM comuns. Nesses discos, nenhuma região do disco pode ser gravada uma segunda vez. No entanto, esses discos geralmente usam um sistema de arquivos baseado na ISO 9660 que permite que arquivos adicionais e até versões revisadas de um arquivo com o mesmo nome sejam gravados em uma região diferente do disco. Para o usuário do disco, o disco parece permitir adições e revisões até que todo o espaço em disco seja usado.

A especificação do cartão SD e do cartão microSD permite várias formas de proteção contra gravação. A forma mais comum, disponível apenas ao usar um cartão SD de tamanho normal, fornece um "comutador mecânico de proteção contra gravação" que permite ao usuário avisar ao computador host que o usuário deseja que o dispositivo seja tratado como somente leitura. Isso não protege os dados no cartão se o host estiver comprometido.[2]

Vários fornecedores a partir do início dos anos 2000 desenvolveram dispositivos WORM magnéticos. Esses dispositivos de armazenamento de nível de arquivamento utilizam uma variação das tecnologias de armazenamento RAID e magnético para proteger os dados contra alterações ou modificações não autorizadas nos níveis de hardware e software. À medida que o custo do armazenamento magnético (e de estado sólido) diminuiu, também diminuiu o custo dessas tecnologias de armazenamento de arquivamento. Essas tecnologias quase sempre são integradas diretamente a um sistema de gerenciamento de conteúdo/documentos que gerencia agendamentos de retenção e controles de acesso, juntamente com o histórico de nível de documento.[3][4]

Existem vários fornecedores de tecnologias de armazenamento magnético, incluindo NetApp, EMC Centera,[5] KOM Networks e outros. Em 2013, a GreenTec-USA, Inc. desenvolveu unidades de disco rígido WORM com capacidades de 3 TB e superiores. A prevenção de regravação é feita no nível do disco físico e não pode ser modificada ou substituída pelo computador conectado.[6]

Pesquisa[editar | editar código-fonte]

Nos últimos anos tem havido um interesse renovado em WORM baseado em componentes orgânicos, como PEDOT:PSS[7][8] ou outros polímeros como PVK[9] ou PCz.[10] Dispositivos WORM orgânicos, considerados memória orgânica, podem ser usados ​​como elementos de memória para etiquetas RFID de baixo consumo.[11]

Notas

  1. ↑ Exceções históricas incluem discos de tempo limitado, como Flexplay, projetado para aluguel de filmes de curto prazo; e as primeiras tecnologias de memória não volátil, como memória de núcleo magnético e memória bolha, das quais a leitura de dados também as apagava.

Referências

  1. ↑ «O que é a regra WORM para armazenamento?». Consultado em 5 de outubro de 2022 
  2. ↑ «Simplified Specifications - SD Association, version 3.10, Part 1, Physical Layer, section 4.3.6" Write Protect Management"». www.sdcard.org. Consultado em 11 de abril de 2019 
  3. ↑ [ligação inativa]
  4. ↑ «Analysis, Selection, and Implementation of Electronic Document Management Systems (EDMS)» (PDF). Association for Information and Image Management. 2009. Cópia arquivada (PDF) em 29 de dezembro de 2009 
  5. ↑ [1]
  6. ↑ "Best Practices to Secure Data from Modification: Eliminating the Risk to Online Content"
  7. ↑ Möller, Sven; Perlov, Craig; Jackson, Warren; Taussig, Carl; Forrest, Stephen R. (2003). «A polymer/Semiconductor write-once read-many-times memory». Nature. 426 (6963): 166–169. Bibcode:2003Natur.426..166M. PMID 14614502. doi:10.1038/nature02070 
  8. ↑ Smith and Forrest "A low switching voltage organic-on-inorganic heterojunction memory element utilizing a conductive polymer fuse on a doped silicon substrate"
  9. ↑ Lin and Ma "Realization of write-once-read-many-times memory devices based on poly(N-vinylcarbazole) by thermally annealing"
  10. ↑ Teo, E. Y. H.; Zhang, C.; Lim, S. L.; Kang, E.; Chan, D. S. H.; Zhu, C. (maio de 2009). «An Organic-Based Diode–Memory Device With Rectifying Property for Crossbar Memory Array Applications». IEEE Electron Device Letters. 30 (5): 487–489. Bibcode:2009IEDL...30..487Y. ISSN 0741-3106. doi:10.1109/LED.2009.2017387 
  11. ↑ "Holst Centre reports major step towards organic RFID"
Obtida de "https://pt.wikipedia.org/w/index.php?title=Write_once_read_many&oldid=64516938"