Dynamic random access memory

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DRAM é um tipo de memória RAM de acesso direto que armazena cada bit de dados num condensador ou capacitor. O número de elétrons armazenados no condensador determina se o bit é considerado 1 ou 0. Como vai havendo fuga de elétrons do condensador, a informação acaba por se perder, a não ser que a carga seja atualizada periodicamente.[1]

Embora esse fenômeno da perda de carga não ocorra nas memórias RAM estáticas (SRAM), as DRAM possuem a vantagem de terem custo muito menor e densidade de bits muito maior, possibilitando em um mesmo espaço armazenar muito mais bits (o que em parte explica o menor custo) e a sua simplicidade estrutural com apenas um transistor e um capacitor necessários para cada bit (ao contrário dos 4 transistores da SRAM).[2]

A vantagem da DRAM tem como forte a sua simplicidade estrutural por ser possível construir um elemento bi estável com apenas um transistor, que permite células de memória com um único transistor. Apenas precisando de um condensador e um transistor por bit permitindo que a DRAM atinja valores muito elevados. Os transistores e capacitores são tão pequenos que podem ter bilhões dentro de um mesmo chip de memória.[3]

Historia[editar | editar código-fonte]

Durante a segunda Guerra Mundial em bletchley park aonde se encontrava a “Ultra inteligência” do reino unido, foi usada uma máquina chamada cryptanalytic cujo o codinome era “Aquarius” foi incorporada uma memória dinamica hard-wired. Foi usado um grande banco de capacitores, que quando carregado representa cruz (1) e um ponto (0) se descarregado. Tendo o uso do pulso periódico para que recarregar-se os capacitores quando havia o vazamento da carga.[4]

Arnold Farber e Eugene Schlig em 1964, enquanto trabalhavam para IBM criaram uma célula de memória hard-wired, usando uma porta do transistor e diodo túnel trinco, substituíram a trava por dois transistores e duas resistências que ficou conhecido como céluala-farber schilig. No ano de 1965 Benjamin Agusta juntamente com sua equipe da IBM projetaram e criaram um chip de memória de silício de 16 bits tendo como base a configuração de célula-Farber Schlig com 80 transistores, 64 resistores e quatro diodos. No ano seguinte em 1966 a primeira DRAM foi inventada pelo Dr Robert Dennard no IBM Thomas J. Watson Research Center que foi-lhe concebido patente dos EUA numero 3.387.286 em 1968.[5]

Características[editar | editar código-fonte]

DRAM é feita normalmente em uma matriz retangular de células aonde armazenam cargas, montados por um condensador e o transistor por bit de dados. Há varias filas horizontais longas que se ligam as linhas são chamadas por linhas de texto. A cada coluna de células e construida por duas linhas de bits, cada um ligado a todas as outras células de armazenamento na coluna.[6]

Até o final dos anos 80, a memória DRAM era feita com o encapsulamento DIP, que tinha que ser encaixada na placa-mãe. Logo depois surgiu o encapsulamento SIPP, que deu lugar, por sua vez, ao encapsulamento SIMM. Com o SIPP (Single In-Line Pin Package), surgiu o que é chamado módulos de memória, que eram vários chips de DRAM numa fileira de terminais que se encaixavam num soquete. Esse tipo de encapsulamento foi bastante usado até o início dos anos 90. Visualmente, pode ser uma mistura do que é o DIP e o SIMM.Existem chips de memória com 1, 4, 8, 9, 32 ou 36 bits. O SIMM surgiu por volta de1992 e, até hoje, os chips de memória que compõem as placas adaptadoras são do tipo DIP (Dual In-Line Package).

Entre 1992 e 1994, usou-se muito os módulos de memória SIMM pequenos, de 30 pinos. Colocar 4MB significa adquirir 4 módulos de 1MB e colocar no BANK0.[7]

Referências

  1. http://archive.computerhistory.org/resources/still-image/PENDING/X3665.2007/Semi_SIG/Notes%20from%20interview%20with%20John%20Reed.pdf
  2. Borucki, "Comparison of Accelerated DRAM Soft Error Rates Measured at Component and System Level", 46th Annual International Reliability Physics Symposium, Phoenix, 2008, pp. 482–487
  3. PARHAMI, Behrooz. Arquitetura de computadores: de microprocessadores a supercomputadores. São Paulo: McGraw Hill, 2007. xvi, 321 p.
  4. Copeland B. Jack, and others (2006) Colossus: The Secrets of Bletchley Park's Codebreaking Computers Oxford: Oxford University Press, p301.
  5. Spec Sheet for Toshiba "TOSCAL" BC-1411
  6. http://www.demic.fee.unicamp.br/~elnatan/ee610/12a%20Aula.pdf
  7. http://www.batebyte.pr.gov.br/modules/conteudo/conteudo.php?conteudo=1839
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