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Isamu Akasaki: diferenças entre revisões

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Em 1989 foi o primeiro a produzir [[diodo emissor de luz]] azul, baseado na [[junção PN]] com o material [[semicondutor]] [[nitreto de gálio]] (GaN).<ref name=doi10.1143/JJAP.28.L2112>Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki, "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 28 (1989) L2112-L2114, {{doi|10.1143/JJAP.28.L2112}}</ref> Por este trabalho recebeu em 2011 a [[Medalha Edison IEEE]].<ref>{{cite web|url=http://www.ieee.org/documents/edison_rl.pdf |title=IEEE Edison Medal Recipients |publisher=IEEE |accessdate=7 de outubro de 2014|format=PDF; 151&nbsp;kB}}</ref>
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==Condecorações selecionadas==
*2002 [[Ordem do Sol Nascente]]
*2002 [[Ordem do Sol Nascente]]
*2009 [[Prêmio Kyoto]] em [[Optoeletrônica]]
*2009 [[Prêmio Kyoto]] em [[Optoeletrônica]]

Revisão das 14h50min de 7 de outubro de 2014

Isamu Akasaki
Nascimento 30 de janeiro de 1929 (95 anos)
Kagoshima
Nacionalidade Japão Japonês
Alma mater Universidade de Quioto
Prêmios Medalha Edison IEEE (2011), Nobel de Física (2014)
Campo(s) Física

Isamu Akasaki (em japonês: 赤崎 勇, Akasaki Isamu; Kagoshima, 30 de janeiro de 1929) é um físico japonês. Foi laureado com o Nobel de Física de 2014, em conjunto com Hiroshi Amano e Shuji Nakamura, "pela invenção de diodos azuis emissores de luz que permitiram fontes de luz brilhantes e economizadoras de energia".[1]

Em 1989 foi o primeiro a produzir diodo emissor de luz azul, baseado na junção PN com o material semicondutor nitreto de gálio (GaN).[2] Por este trabalho recebeu em 2011 a Medalha Edison IEEE.[3]

Isamu Akasaki estudou ate 1952 engenharia elétrica na Universidade de Quioto, obtendo um doutorado na Universidade de Nagoya. Seus primeiros trabalhos na área da optoeletrônica e diodos emissores de luz foram realizados no final da década de 1960 e na década de 1970, entre outras empresas na Matsushita. Em 1981 e nos anos seguintes, tendo retornado para a Universidade de Nagoya, usando deposição de vapor por processos químicos organometálicos (em inglês: Metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE)) para a produção de monocristais de nitreto de gálio com elevada pureza sobre um substrato de safira. Conseguiu produzir em 1989 o primeiro diodo emissor de luz azul eficiente.[4][2] Anteriormente eram produzidos apenas LEDs azuis baseados no semicondutor indireto carbeto de silício. Estes LEDs foram disponibilizados ao mercado na década de 1970, mas não foram utilizados em grande escala em razão de sua baixa eficiência.

Condecorações selecionadas

Referências

  1. «The Nobel Prize in Physics 2014» (em inglês). Fundação Nobel. Consultado em 7 de outubro de 2014 
  2. a b Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki, "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 28 (1989) L2112-L2114, doi:10.1143/JJAP.28.L2112
  3. «IEEE Edison Medal Recipients» (PDF; 151 kB). IEEE. Consultado em 7 de outubro de 2014 
  4. Applied Physics Letters, Volume 48, Issue 5, pp. 353-355


Precedido por
François Englert e Peter Higgs
Nobel de Física
2014
com Hiroshi Amano e Shuji Nakamura
Sucedido por


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